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J-GLOBAL ID：201702236435695989   整理番号：17A1802545

マイクロパターンとマイクロニードルを介した自立ヘテロエピタキシャル・ダイヤモンド基板の作成

Fabrication of freestanding heteroepitaxial diamond substrate via micropatterns and microneedles

著者 (8件)： AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  AIDA Hideo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KIM Seong-Woo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEJIRI Kenjiro (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAMATA Yuki (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOYAMA Koji (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KODAMA Hideyuki (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN) ,  SAWABE Atsuhito (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 3  ページ： 035504.1-035504.4  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長の初期段階においてダイヤモンド・マイクロパターンとマイクロニードルを導入することにより,ヘテロエピタキシーを介して,高品質自立ダイヤモンド基板を作成することに成功した。マイクロパターンは,エピタキシャルな横方向成長により生じる転位の個数の顕著な減少に寄与し,また,マイクロニードルはヘテロエピタキシャル歪みを緩和させた。Raman分光から,得られた自立基板内に非ダイヤモンドカーボンの介在物が無いことがわかった。ダイヤモンドの(004)反射に対するX線ロッキングカーブの半値全幅は0.07°で,今までに報告されているヘテロエピタキシャル・ダイヤモンドに対する最低の値となった。本結果は,大径単結晶ダイヤモンド基板を実現することに向けて新奇な洞察を与えるものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 針 ,  膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  *ダイヤモンド ,  *材料 ,  エピタクシー ,  転位【結晶】 ,  Raman分光法 ,  ロッキングカーブ ,  *結晶成長
準シソーラス用語： マイクロパターン ,  マイクロニードル ,  自立膜 ,  *基板材料 ,  横方向成長 ,  エピタキシャル成長 ,  X線ロッキングカーブ

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (24件)：

• F. P. Bundy, W. A. Bassett, M. S. Weathers, R. J. Hemley, H. U. Mao, and A. F. Goncharov, Carbon 34, 141 (1996).
• H. Sumiya, N. Toda, Y. Nishibayashi, and S. Satoh, J. Cryst. Growth 178, 485 (1997).
• H. Sumiya and K. Tamasaku, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 090102 (2012).
• G. Janssen and L. J. Giling, Diamond Relat. Mater. 4, 1025 (1995).
• H. Yamada, A. Chayahara, H. Umezawa, N. Tsubouchi, Y. Mokuno, and S. Shikata, Diamond Relat. Mater. 24, 29 (2012).

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロパターン ,  マイクロニードル ,  自立