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J-GLOBAL ID：201702236626894090   整理番号：17A0591724

浮遊体Si/SiGe pMOSFETにおけるゲートバイアス依存反転電荷の考察による有効移動度の抽出に対する改善した技法

Improved Technique for Extraction of Effective Mobility by Considering Gate Bias-Dependent Inversion Charges in a Floating-Body Si/SiGe pMOSFET

著者 (14件)： BAE Hagyoul (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  BANG Tewook (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Choong-Ki (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  HUR Jae (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Seyeob (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  JEON Chang-Hoon (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  PARK Jun-Young (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  AHN Dae-Chul (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  KIM Gun-Hee (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  SON Yunik (SK Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  LEE Jae-Hoon (SK Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  KIM Yong-Taik (SK Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  RYU Seong-Wan (SK Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3247-3250  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiベースMOSFETに関する開発研究の一環として,本論文では,有効移動度(μ_eff)の抽出に対する改善した正確な技法を,浮遊体Si/SiGe pMOSFETにおけるゲートバイアス依存反転電荷の考察によって提示した。著者らは,2種類の容量電圧配置,つまり,無接触のゲート-ソース/ドレイン配置(C_G-SD)と,接触のあるゲート-ソース/ドレイン/ボディ配置(C_G-SDB)とを用いて,正確なμ_effを抽出したこと,を記した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  半導体 ,  ケイ素 ,  ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *キャリア移動度 ,  容量電圧特性 ,  バイアス
準シソーラス用語： pMOSFET ,  ゲートバイアス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 浮遊体 ,  Si ,  SiGe ,  pMOSFET ,  ゲートバイアス ,  反転 ,  電荷 ,  移動度 ,  技法