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J-GLOBAL ID：201702236655583531   整理番号：17A1076792

SILAR-CdS膜における硫黄欠乏欠陥優勢の解析

Analysis of sulphur deficiency defect prevalent in SILAR-CdS films

著者 (3件)： BANU N. Nisha (AVVM Sri Pushpam Coll. (Autonomous), Tamil Nadu, IND) ,  BANU N. Nisha (Kunthavai Naachiyaar Government Arts Coll. for Women (Autonomous), Tamil Nadu, IND) ,  RAVICHANDRAN K. (AVVM Sri Pushpam Coll. (Autonomous), Tamil Nadu, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 16  ページ： 11584-11590  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS膜をSILARプロセスでデポジットすると常に硫黄欠乏欠陥が観察される。この欠陥の理由を,SILARディッピングサイクルでのアニオン溶液で使用可能な,Cd²⁺イオンの増加パターンを解析して調べた。サイクル数に関連したアニオン溶液中でのCd²⁺イオン濃度の変化をICP分析で調べた。ICP分析に依ると,ディッピングサイクル数で基板からアニオン溶液へのCd²⁺の逆マイグレーションが指数関数的に増加することが明らかになった。この結果はデポジットCdS膜のEDXで観察される硫黄欠損と一致している。膜が硫黄欠乏でメタルリッチになることで光透過率が低下することは,硫黄欠損増加のもう一つの証拠である。ディッピングサイクルの増加で膜厚増加速度が低下することはこの結論を実証している。デポジションサイクルの増加はグレインの凝集に繋がることがSEM画像で確認された。

シソーラス用語： 吸着 ,  浸漬 ,  *硫化カドミウム ,  *硫黄 ,  金属イオン ,  アニオン ,  イオン濃度 ,  ICP分析 ,  *欠乏 ,  格子欠陥 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  画像 ,  光学ギャップ ,  スペクトル
準シソーラス用語： CdS ,  EDX分析 ,  SEM画像 ,  *SILAR法 ,  カドミウムイオン(2+) ,  結晶欠陥 ,  光学バンドギャップ ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 硫黄欠乏 ,  欠陥 ,  解析