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J-GLOBAL ID：201702236656813512   整理番号：17A0452055

強化駆動電流の可能なと絶縁破壊電圧をもつ新しい高電圧デバイスの創製【Powered by NICT】

Creation of a new high voltage device with capable of enhancing driving current and breakdown voltage

著者 (1件)： Anvarifard Mohammad K. (Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar, Vajargah, Iran)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 60  ページ： 60-65  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドリフトと埋込み酸化物領域内のシリコンN型およびP型井戸を含む新規SOI MESFETについて報告した。衝突イオン化,Shockley-Read-Hallと自己加熱効果などの主要な物理的モデルに沿ってドリフト拡散方程式を構造内で解決した。ポテンシャルプロファイルの修飾は,チャネル領域で起こり,ピーク電場が減少した。出力電力密度は,改良された駆動電流と絶縁破壊電圧のために成功裏にブーストされ,同時に。添加では,チャネル領域の減少した有効熱抵抗のために,提案した構造において軽減される自己加熱効果。包括的DCおよびAC性能比較は,提案した素子は高電圧応用のための従来のSOI構造よりもより信頼性の高い候補を約束することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  信頼性 ,  拡散方程式 ,  熱抵抗 ,  MESFET ,  チャネル ,  *ドリフト ,  衝突イオン化 ,  電場 ,  SOI構造
準シソーラス用語： 性能比較 ,  出力電力 ,  自己加熱 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *駆動電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 駆動電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  SOI MESFET ,  N型およびP型井戸

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強化 ,  駆動電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  高電圧 ,  創製