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J-GLOBAL ID：201702236783471857   整理番号：17A1646248

平面垂直キャパシタに向けて:強誘電性V FeFET統合に向けた一歩【Powered by NICT】

From planar to vertical capacitors: A step towards ferroelectric V-FeFET integration

著者 (8件)： Florent Karine (Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Lavizzari Simone (imec, Leuven, Belgium) ,  Di Piazza Luca (imec, Leuven, Belgium) ,  Popovici Mihaela (imec, Leuven, Belgium) ,  Potoms Goedele (imec, Leuven, Belgium) ,  Raymaekers Tom (imec, Leuven, Belgium) ,  Groeseneken Guido (Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium) ,  Van Houdt Jan (Department of Electrical Engineering, KU Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 164-167  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体酸化ハフニウム(HfO_2)は2007年のそれの発見以来,関心を集めている。そのスケーラビリティとCMOS互換性は通常の強誘電材料上の二つの長所である,新しいデバイス集積に有利であった。ドープ強誘電HfO_2金属/絶縁体/金属キャパシタDRAMとFeFET応用のための広く研究されている。シリコン電極はこれまで詳細に検討されていない,垂直強誘電体FET(V FeFET)のための入力,フラッシュNANDアーキテクチャに基づいて提供する。本研究では,平面型と垂直型のキャパシタを強誘電材料として電極とアルミニウムをドープしたHfO_2としてシリコンを用いて示した。垂直統合の過程について述べた。偏光電圧測定は平面だけでなく垂直キャパシタのための急な強誘電ヒステリシスループを示した。これはエッチングされた垂直壁上に堆積後に誘電体の強誘電特性の保存を示し,V FeFET統合に向けての最初の石を築いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  絶縁体 ,  ドーピング ,  誘電体 ,  偏光 ,  *強誘電性 ,  アルミニウム ,  互換性 ,  強誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  垂直型 ,  ケイ素 ,  DRAM
準シソーラス用語： 強誘電体材料 ,  *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  キャパシタ ,  強誘電性 ,  FeFET ,  統合