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J-GLOBAL ID：201702236820797550   整理番号：17A1651099

65nm技術で加工したNMOSFETにおけるホットキャリア注入効果と低周波雑音【Powered by NICT】

Hot carrier injection effect and low frequency noise in NMOSFET processed in 65nm technology

著者 (3件)： He Yujuan (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China) ,  Liu Yuan (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China) ,  Zhang Xiaowen (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PHM (Harbin)  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 65nm NMOSFETの低周波雑音挙動とホットキャリア注入(H CI)効果を調べた。H CI試験前後の酸化けい素界面近傍のH CI効果とトラップ密度により誘起された酸化物トラップと界面トラップの数は低周波雑音技術により計算した。H CI試験中の変化は,低周波雑音技術により決定したことが観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  酸化ケイ素 ,  *低周波雑音 ,  酸化物
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： nMOSFET ,  キャリア注入 ,  低周波雑音