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J-GLOBAL ID：201702237230188100   整理番号：17A1185994

電子後方散乱回折(EBSD)の重要な情報の深さに関する実験的証拠【Powered by NICT】

Experimental evidence concerning the significant information depth of electron backscatter diffraction (EBSD)

著者 (4件)： Wisniewski Wolfgang (Otto-Schott-Institut, Jena University, Fraunhoferstr. 6, 07743 Jena, Germany) ,  Saager Stefan (Fraunhofer Institute for Organic Electronics, Electron Beam and Plasma Technology FEP, Winterbergstrasse 28, 01277 Dresden, Germany) ,  Bobenroth Andrea (Fraunhofer Institute for the Microstructure of Materials and Systems IMWS, Walter-Huelse-Strasse 1, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Ruessel Christian (Otto-Schott-Institut, Jena University, Fraunhoferstr. 6, 07743 Jena, Germany)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 173  ページ： 1-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子後方散乱回折(EBSD)の情報深さに関する実験は,結晶基板上の非晶質くさびと非晶質基板上の結晶性くさびを特徴とする試料について行った。加速電圧と非晶質層を通した測定する能力に典型的なソフトウェア設定の影響を提示した。EBSD信号の変化は,非晶質Siの約142nm厚の層を介して検出された30kVの電圧を用いたときの方位測定は約116nmの厚さの層を介して行うことができた。与えられたEBSDパターンに重要な情報深さとそれに影響する複数のパラメータの複雑さを議論した。「コア情報深さ」は高品質パターンに有意なパターン品質が減少するとより大きな「最大情報深さ」が関連するか,または試料が情報量内の不均一であり,nmスケールで部分的に結晶化した材料又は結晶層の形でことが示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 情報量 ,  結晶度 ,  電圧 ,  結晶化 ,  結晶 ,  ソフトウェア ,  品質 ,  *非晶質 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 高品質 ,  加速電圧 ,  *EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子後方散乱回折(EBSD) ,  情報深さ ,  Si ,  非晶質Si

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  金属組織観察法  (WB01010R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子後方散乱回折 ,  EBSD ,  実験 ,  証拠