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J-GLOBAL ID：201702237253951241   整理番号：17A1250749

シリカプロトン伝導体によりゲートされるトップゲート電気二重層薄膜トランジスタに基づく低電圧単極インバータ【Powered by NICT】

Low-Voltage Unipolar Inverter Based on Top-Gate Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors Gated by Silica Proton Conductor

著者 (4件)： Wang Jiabin (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Yuxing (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yang Yi (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Ren Tian-Ling (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 875-878  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,固体シリカ電気二重層(EDL)トップゲート薄膜トランジスタに基づく低電圧単極インバータを作製した。室温でプラズマ増強化学蒸着法により堆積した酸化けい素膜は,無機電解質絶縁体として使用した。EDLの形成のために,インバータは1V以下であることを低電圧で動作する。電圧伝達曲線と異なるスイッチング周波数での動的スイッチング挙動を調べた。インバータは低電圧応用に統合できる,バイオセンサ,携帯電子機器,およびシナプス素子のような低い動作電圧と比較的低い速度で動作する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイオセンサ ,  プラズマCVD ,  *電圧 ,  *薄膜トランジスタ ,  *二酸化ケイ素 ,  電解質 ,  スイッチング ,  絶縁体 ,  *電気二重層
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  シナプス素子 ,  携帯電子機器 ,  *低電圧 ,  *トップゲート ,  *プロトン伝導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリカ ,  プロトン伝導体 ,  ゲート ,  トップゲート ,  電気二重層 ,  薄膜トランジスタ ,  低電圧 ,  極 ,  インバータ