文献

J-GLOBAL ID：201702237259276792   整理番号：17A1084990

AlCl₃酸溶液中でのXeFエキシマレーザ照射による不動態皮膜を用いた4H-SiCへの無損傷Alドーピング

Damage free Al doping on 4H-SiC with passivation films using XeF excimer laser irradiation in AlCl₃ acid solution

著者 (6件)： TSUCHIYA T. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SUWA A. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA A. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKAMURA D. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKENOUE H. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10091  ページ： 1009106.1-1009106.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlCl₃水溶液(28.6wt%)中でXeFエキシマレーザを照射して誘起した不動態皮膜を用いて4H-SiCへAlをドーピングする革新的方法を提案した。n型4H-SiC基板上に厚み100nmのSi不動態皮膜を物理的蒸着し,0.5~5.0J/cm²のレーザビーム(200μm×170μm)を1~300ショット照射した。n型基板と照射領域との接合部の電流電圧特性は±10Vの範囲で9ディケードの大きなオン/オフ比を有する明確な整流を示した。約40nmのAlドーピングで,4H-SiC表面で>10²⁰/cm³のAl濃度を得た。

シソーラス用語： *エキシマレーザ ,  レーザ照射 ,  *炭化ケイ素 ,  アルミニウム ,  *ドーピング ,  不動態皮膜 ,  電流電圧特性 ,  塩化アルミニウム ,  半導体材料
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlCl3 ,  酸 ,  溶液 ,  エキシマレーザ ,  不動態皮膜 ,  4H-SiC ,  損傷 ,  Al ,  ドーピング