文献

J-GLOBAL ID：201702237389711039   整理番号：17A1444715

ウエハスケール均一性と層可制御性を用いた二硫化モリブデントランジスタのトップダウン統合【Powered by NICT】

Top-Down Integration of Molybdenum Disulfide Transistors with Wafer-Scale Uniformity and Layer Controllability

著者 (7件)： Shi Mao-Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Chen Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Zhang Tian-Bao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Xu Jing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Zhu Hao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Sun Qing-Qing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 35  ページ： ROMBUNNO.201603157  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質大面積薄膜を合成するための安定で効率的な技術の欠如は,2d遷移金属二カルコゲン化物の実世界アプリケーションのための主要なボトルネックの一つである。本研究では,原子層堆積(A LD)により堆積したMoO_3膜を硫化することによりサファイア基板上に二硫化モリブデン(MoS_2)の成長を報告した。A LD法の利点は,遺伝することができ,合成MoS_2膜は優れた層制御,ウエハスケール均一性および均一性を示した。所望の厚さを持つMoS_2膜はMoO_3A LDサイクルを変えることによって得ることができる。原子間力顕微鏡とRaman測定は,A LDベースMoS_2は良好な均一性を有することを示した。膜厚の関数として明確なRamanシフトが観測された。電界効果トランジスタ素子は,輸送のないおよびトップダウンプロセスで作製した。高オン/オフ電流比(≒10~4)と中レベル電子移動度(約0.76cm~単分子層のための2V~ 1s~ 1,及び四層の5.9cm~2V~ 1s~ 1)が得られた。研究は,集積回路とシステムのウエハスケール2次元材料の応用を実現するために魅力的な方法を開く。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集積回路 ,  FET【トランジスタ】 ,  *可制御性 ,  二次元 ,  原子間力顕微鏡 ,  *トランジスタ ,  *硫化 ,  膜厚 ,  単分子層
準シソーラス用語： Ramanシフト ,  サファイア基板 ,  大面積 ,  高品質 ,  *トップダウン ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子層堆積 ,  MoO3 ,  MoS2 ,  硫化 ,  トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： ウエハ ,  スケール ,  均一性 ,  層 ,  可制御性 ,  二硫化モリブデン ,  トランジスタ ,  トップダウン ,  統合