Shi Mao-Lin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Chen Lin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Zhang Tian-Bao について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Xu Jing について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Zhu Hao について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Sun Qing-Qing について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Zhang David Wei について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China について
Small について
集積回路 について
FET【トランジスタ】 について
可制御性 について
二次元 について
原子間力顕微鏡 について
トランジスタ について
硫化 について
膜厚 について
単分子層 について
Ramanシフト について
サファイア基板 について
大面積 について
高品質 について
トップダウン について
二硫化モリブデン について
トランジスタ について
固体デバイス製造技術一般 について
ウエハ について
スケール について
均一性 について
層 について
可制御性 について
二硫化モリブデン について
トランジスタ について
トップダウン について
統合 について