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J-GLOBAL ID：201702237534725785   整理番号：17A1181733

両面陽極酸化多孔質アルミナを用いた抵抗スイッチングメモリ構造の作製【Powered by NICT】

Fabrication of resistive switching memory structure using double-sided-anodized porous alumina

著者 (3件)： Morishita Yoshitaka (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Hosono Takaya (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Ogawa Hiroto (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 131  ページ： 30-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムシートの二重側した陽極酸化最初に,アルミニウムシートの片側(前面)で陽極酸化し,細孔は電気めっき法を用いてニッケルを充填した。次に,アルミニウムシートの他の面(裏面)した陽極酸化した。陽極多孔質アルミナの両側に電極の形成後,電流-電圧特性を調べ,単極動作中に測定した金属および絶縁体状態間の抵抗の可逆的変化。このスイッチング挙動は約100μmの背面細孔の深さの試料で測定できた。バイアス電圧,抵抗状態は高抵抗状態から低抵抗状態へ変化し,背面細孔の深さの減少と共に減少し,バイアス電圧は約1Vであった約10μmの背面細孔の1例。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  細孔 ,  *アノード酸化 ,  電気めっき ,  絶縁体 ,  ニッケル ,  可逆変化 ,  電流 ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *多孔質アルミナ
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗変化型不揮発性メモリ ,  不揮発性メモリ ,  陽極多孔質アルミナ ,  電気めっき ,  導電性フィラメント

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 両面 ,  陽極酸化 ,  多孔質アルミナ ,  抵抗スイッチングメモリ ,  作製