Li Liuan について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
He Liang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Yang Fan について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Chen Zijun について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Zhang Xiaorong について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Wu Zhisheng について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Zhang Baijun について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
Liu Yang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China について
IEEE Conference Proceedings について
二次元電子ガス について
キャリア密度 について
ピンチオフ について
ウェットエッチング について
チャネル について
窒化ガリウム について
最適化 について
FET【トランジスタ】 について
周波数分散 について
デュアルチャネル について
バリア層 について
窒化アルミニウムガリウム について
中間層 について
ヘテロ構造 について
AlGaN/GaN について
トランジスタ について
自己 について
終端 について
湿式エッチングプロセス について
AlGaN について
GaN について
ヘテロ構造 について
電界効果トランジスタ について
中間層 について
厚さ について