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J-GLOBAL ID：201702237960236935   整理番号：17A1781521

0.18μm高電圧CMOS技術における光センサプロセス変動性【Powered by NICT】

Optical sensor process variability in a 0.18 μm high voltage CMOS technology

著者 (3件)： Roger Frederic (ams AG, Tobelbaderstrasse 30, 8141 Premstaetten, Austria) ,  Singulani Anderson (ams AG, Tobelbaderstrasse 30, 8141 Premstaetten, Austria) ,  Park Jong Mun (ams AG, Tobelbaderstrasse 30, 8141 Premstaetten, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PATMOS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pエピタキシャル基板フォトダイオードと紫外/赤外ブロッキング干渉フィルタにおける標準のシリコンNWellを集積した光センサの電気的および光学的出力特性に関与する主なプロセスパラメータ変動の解析について述べた。本研究では,標準0.18μm高電圧CMOS技術製造プロセス後のTCADシミュレーションを行った。実験の特異的設計と組み合わせたTCADシミュレーションを光センサの主要な電気的および光学的応答変動のより良い理解を可能にした。このセンサを統合した将来の回路設計のためのこの結果インラインプロセス制御パラメータの増加をもたらし,センサのより良いモデル化。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フォトダイオード ,  エピタクシー ,  シミュレーション ,  生産工程 ,  回路設計 ,  モデリング ,  *光センサ ,  プロセスパラメータ ,  *センサ ,  ブロッキング ,  干渉フィルタ
準シソーラス用語： TCAD ,  出力特性 ,  *プロセス変動性 ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  CMOS技術 ,  光センサ ,  プロセス変動性