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J-GLOBAL ID：201702237984271209   整理番号：17A0132821

パーコレーション絶縁体から2次元金属への転移に伴うHfO₂/Parylene-C/SrTiO₃電界効果トランジスタの非単調電圧利得の符号変化

Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO₂/Parylene-C/SrTiO₃ field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition

著者 (4件)： Schulman Alejandro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Kitoh Ai (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Stoliar Pablo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan) ,  Inoue Isao H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), AIST Tsukuba Central 5, Tsukuba 305-8565, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 1  ページ： 013502-013502-4  発行年： 2017年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： パーコレーション ,  *金属-絶縁体転移 ,  *酸化ハフニウム ,  *ポリキシリレン ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  特性 ,  パリレン
準シソーラス用語： 絶縁体-金属転移 ,  デバイス特性

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： パーコレーション ,  絶縁体 ,  2次元 ,  HfO2 ,  Parylene ,  電界効果トランジスタ ,  電圧利得 ,  符号