文献
J-GLOBAL ID:201702238450014371   整理番号:17A0936987

多結晶光起電素子におけるバンドギャップと欠陥のナノスケールイメージングと分光法【Powered by NICT】

Nanoscale imaging and spectroscopy of band gap and defects in polycrystalline photovoltaic devices
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 23  ページ: 7771-7780  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
発生,電子-正孔対の分離と収集はしばしば不十分で知られているナノスケールの化学的組成と欠陥の詳細に強く依存するので光起電(PV)デバイスの電力変換効率を向上させることは困難である。本研究では,二種の新しい走査型プローブナノ分光法技術,直接透過型近接場走査光学顕微鏡(dt NSOM)と光熱誘起共鳴(PTIR),欠陥の分布と多結晶CdTe PVデバイスから抽出した薄いラメラにおけるバンドギャップ変化を調べるために実行した。dt NSOMは,選択した波長で試料を透過した光の高コントラスト空間分解マップを提供する。PTIR(光熱誘起共鳴)は広いスペクトル範囲にわたって吸収マップとスペクトルを提供し,可視から中赤外へ。結果は,CdTe厚さ方向と浅いと深い欠陥の分布と空間的に相関がない結晶粒からのバンドギャップの変化を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造  ,  半導体のルミネセンス  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る