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J-GLOBAL ID：201702238579148510   整理番号：17A1548805

強い相分離したInGaN/GaN多重量子井戸二波長LEDにおけるキャリア局在化【Powered by NICT】

Carrier localization in strong phase-separated InGaN/GaN multiple-quantum-well dual-wavelength LEDs

著者 (4件)： Wang Qiang (School of Science, Qilu University of Technology, Jinan 250353, China) ,  Gao Xingguo (School of Science, Qilu University of Technology, Jinan 250353, China) ,  Xu Yulong (School of Science, Qilu University of Technology, Jinan 250353, China) ,  Leng Jiancai (School of Science, Qilu University of Technology, Jinan 250353, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 726  ページ： 460-465  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)に基づく二波長発光ダイオード(LED)を有機金属化学気相蒸着により成長させた。InGaN層における強い相分離InGaN/GaN多重量子井戸における高密度,インジウムリッチ準量子ドット(QD)をもたらした。光ルミネセンス(PL)スペクトルを2.37~2.71eV付近の緑色および青色発光,準量子ドットおよびInGaNマトリックスに起因するから成っていた。二エミッションに及ぼすキャリア局在化の影響はエネルギー依存性時間分解PL,温度依存PLおよび励起依存PL測定の組み合わせを用いて調べた。実験結果は,試料中の浅い及び深い局在状態の共存を示した:浅い局在状態がInGaNマトリックスに由来し,深い局在状態は相分離準QDに由来した。深い局在準QDからの緑色発光は浅い局在InGaNマトリックスからの青色発光よりも高いルミネセンス強度と高い熱安定性を示した。これらの結果は,著者らの提案したモデル,強い相分離したInGaN/GaN MQW二波長LEDにおけるキャリア局在化とルミネセンス機構へのかなりの洞察を提供するにより説明できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  熱安定性 ,  発光ダイオード ,  局在状態 ,  量子ドット ,  *波長 ,  *相分離 ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  スペクトル ,  励起
準シソーラス用語： 青色発光 ,  *局在化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 相分離 ,  キャリア局在化 ,  準量子ドット ,  発光ダイオード

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 相分離 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  波長 ,  LED ,  キャリア ,  局在化