文献

J-GLOBAL ID：201702238579637689   整理番号：17A1380289

空格子点欠陥を持つZnドープInGaAs発光層の電子的および光学的性質:DFT研究【Powered by NICT】

Electronic and optical properties of Zn-doped InGaAs emission layer with vacancy defects: A DFT study

著者 (6件)： Guo Jing (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Guo Jing (Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Zhou Minhua (Institute of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Zhao Jing (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Zhou Lei (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Xiong Liansong (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 143  ページ： 135-141  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_0In0.53Ga_0Ga0.47Asは短波近赤外負電子親和性光電陰極のための重要な材料である。Zn原子は固有InGaAs中にドープされたp型In_0In0.53Ga_0 0.44Zn_0 0.03として発光層を形成した。In,GaまたはAs空格子点欠陥をもつZnドープIn_0In0.53Ga_0 0.44Zn_0 0.03としてバルクのモデルを構築した。欠陥は微細構造とZnドープInGaAs発光層の光学的性質にどのように影響するかに置いた。光電子放出性能に対する空格子点欠陥とドープされたZn原子の両方の併用効果をさらに研究した。InまたはGa空格子点欠陥は形成エネルギーの解析からAsより生成され易いことが分かった。しかし,ドープされたZn原子と相互作用するAs空格子点欠陥は正中部であり,エネルギーギャップを狭めるためにアクセプタ準位を発生するのでAs空格子点欠陥は材料極性を考慮した光電子放出のためのより有利である。同時にAs空格子点欠陥が出現するZnイオンは電子を受容しやすいであろう。As空格子点欠陥を有するInGaAs発光層の吸収係数はInまたはGa欠陥よりも大きいもある。結論として,As空孔欠陥は有益であり,InGaAs光電陰極の光電子放出を促進する発光層が成長するときInまたはGa空孔欠陥は避けるべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  近赤外線 ,  相互作用 ,  *点欠陥 ,  *インジウム ,  *亜鉛 ,  エネルギーギャップ ,  微細構造 ,  *光学的性質 ,  吸収係数 ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  光電子放出 ,  *ヒ素
準シソーラス用語： *発光層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAs発光層 ,  空格子点欠陥 ,  Znドーピング ,  光電子放出

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (10件)： 空格子点 ,  欠陥 ,  Zn ,  ドープ ,  InGaAs ,  発光層 ,  電子 ,  光学的性質 ,  DFT ,  研究