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J-GLOBAL ID：201702238712729488   整理番号：17A1347672

アニーリングフリーアニールしたHfZrO膜をベースにした強誘電体薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

A Ferroelectric Thin Film Transistor Based on Annealing-Free HfZrO Film

著者 (12件)： Li Yuxing (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Liang Renrong (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Jiabin (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Zhang Ying (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Tian He (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Liu Houfang (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Songlin (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Mao Weiquan (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Pang Yu (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Yutao (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yang Yi (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Ren Tian-Ling (Institute of Microelectronics, and the Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 5  ページ： 378-383  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 焼鈍せずハフニウム酸化ジルコニウム(HfZrO)に基づく強誘電体薄膜トランジスタ(Fe TFT)を本論文で実証した。インジウム亜鉛酸化物をチャネル半導体として使用した。ゲート誘電体として実装された堆積した30nm HfZrO膜は単斜晶,正方晶,斜方晶相の混合物で結晶化することが証明されたおよび自然強誘電性を示した。,高温アニーリングプロセスは避けられた。FeTFTの伝達特性は約82mV/decは3Vより小さいことを動作電圧,約1Vのメモリ窓,小さなサブ閾値傾斜(SS)を実証した。この素子における電荷トラッピング現象は異なる範囲ゲート電圧の伝達曲線を特性化することによって調べた。低処理熱収支と小さなSSを有するこのHfZrOベースデバイスは,酸化物半導体ベースのシステムと応用で使用できるFeTFTメモリのための高い可能性を有している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,  半導体 ,  ゲート絶縁膜 ,  *強誘電体 ,  結晶化 ,  酸化亜鉛 ,  記憶装置 ,  単斜晶系 ,  *薄膜トランジスタ ,  強誘電性 ,  チャネル
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  ゲート電圧 ,  電荷捕獲 ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 強誘電体薄膜 ,  トランジスタ