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J-GLOBAL ID：201702238903675513   整理番号：17A1262413

MoS_2電界効果トランジスタに対する誘電体キャッピング効果による効率的なしきい値電圧調整技術【Powered by NICT】

Efficient Threshold Voltage Adjustment Technique by Dielectric Capping Effect on MoS₂ Field-Effect Transistor

著者 (5件)： Park June (Department of Nano Semiconductor Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Kang Dong-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Kim Jong-Kook (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea) ,  Park Jin-Hong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 1172-1175  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはMoS_2電界効果トランジスタ(FET)上の単一または二重誘電体層を堆積することによって効率的なしきい値電圧(V_th)調整技術を実証した。MoS_2FETに及ぼすキャッピング層としてAl_2O_3とSiO_2を使い,2.39と+7.13Vの異なる平均V_thシフトを観察した。誘電体キャッピング効果の可制御性を促進するために,特にSiO_2に及ぼす影響とその逆方向Al_2O_3,二重誘電体層の堆積を初めて使用した。SiO_2にAl_2O_3とAl_2O_3にSiO_2の堆積は4.92および+4.02Vの平均V_thシフトを示した。誘電体層における欠陥電荷はMoS_2界面におけるバンド曲がりを誘起し,MoS_2FETのV_thを調整できる。この結果は,遷移金属二カルコゲン化物ベースFETのための有望なV_th調整技術を示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 可制御性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電荷 ,  *誘電体 ,  界面
準シソーラス用語： バンド曲がり ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  誘電体 ,  キャッピング ,  しきい値電圧