文献

J-GLOBAL ID：201702238948110548   整理番号：17A1476658

Feを多量に添加した強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおける高温強磁性

High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb

資料名： 東京大学低温センター年報  (東京大学低温センター年次報告)
号： 8  ページ： 54-57  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： F1229A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・強磁性半導体(Ga_1-x,Fe_x)Sbに高濃度にFeを添加(x=23%と25%)した試料を作製。
・生成した強磁性半導体材料に,閃亜鉛鉱型構造を保持することをSTEMとMCD分光法により確認。
・試料の高温強磁性特性にもたらす高濃度なFeの効果について測定。
・x=25%の試料に340Kの高いCurie温度Tcを確認。
・この特異なHall効果とMCD-H特性は高濃度Fe添加(Ga,Fe)Sb薄膜における高温強磁性が閃亜鉛鉱型(Ga,Fe)Sbに特有。
・室温で動作可能な半導体スピントロニクスデバイスへの利用に期待。

シソーラス用語： *Curie温度 ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  鉄化合物 ,  アンチモン化物 ,  *添加物効果 ,  鉄 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  スペクトロスコピー ,  微細構造 ,  積層構造 ,  薄膜成長 ,  *磁気光学効果 ,  磁気円二色性 ,  磁化 ,  MBE成長 ,  磁性薄膜 ,  *強磁性半導体 ,  *異常Hall効果
準シソーラス用語： 強磁性薄膜

分類 (3件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴  (BM07030P)

引用文献 (9件)：

• H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segm?ller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
• H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
• T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya, and Y. Otuka, J. Cryst. Growth 175-176, 1063 (1997).
• M. Tanaka, S. Ohya and P. N. Hai, Appl. Phys. Rev. 1, 011102 (2014).
• T. Schallenberg and H. Munekata, Appl. Phys. Lett. 89, 042507 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： Fe ,  強磁性半導体 ,  Ga ,  Sb ,  強磁性