Berthelon R. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Berthelon R. について
CEA-LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France について
Berthelon R. について
CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex 4, France について
Andrieu F. について
CEA-LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France について
Ortolland S. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Nicolas R. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Poiroux T. について
CEA-LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France について
Baylac E. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Dutartre D. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Josse E. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Claverie A. について
CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex 4, France について
Haond M. について
STMicroelectronics, 850 rue Monnet, B.P. 16, F-38926 Crolles, France について
Solid-State Electronics について
利得 について
線形性 について
対称性 について
キャラクタリゼーション について
チャネル について
非対称性 について
モデリング について
解析モデル について
ドレイン電流 について
閾値電圧 について
駆動電流 について
正孔移動度 について
pMOSFET について
シリコンゲルマニウム について
FDSOI について
CMOS について
極薄基板と埋込み酸化膜完全空乏化について絶縁体(UTBB FDSOI) について
SiGe について
ストレス について
歪を受ける について
レイアウト効果 について
拡散(LOD)の長さ について
SA/SBパラメータ について
しきい値電圧 について
Mobility について
トランジスタ について
FDSOI について
SiGe について
チャネル について
pMOSFET について
レイアウト について
特性化 について
モデル化 について