文献

J-GLOBAL ID：201702239038819906   整理番号：17A1058055

成形光ファイバチップを用いたフォトニックジェットによる半導体と金属のエッチング【Powered by NICT】

Etching of semiconductors and metals by the photonic jet with shaped optical fiber tips

著者 (6件)： Pierron Robin (ICube Laboratory, CNRS, University of Strasbourg, France) ,  Lecler Sylvain (ICube Laboratory, CNRS, University of Strasbourg, France) ,  Zelgowski Julien (ICube Laboratory, CNRS, University of Strasbourg, France) ,  Pfeiffer Pierre (ICube Laboratory, CNRS, University of Strasbourg, France) ,  Mermet Frederic (IREPA LASER - Carnot MICA Institute, Pole API, 67412 Illkirch, France) ,  Fontaine Joeel (ICube Laboratory, CNRS, University of Strasbourg, France)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PB  ページ： 452-455  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成形光ファイバ先端で発生させたフォトニックジェット(PJ)による半導体及び金属のエッチングを研究した。直径1μmのエッチングされたマークは35kHzパルスレーザによるシリコン,ステンレス鋼およびチタン上に実現した,1064nmで100nsパルスを放出した。繊維とそのチップの選択基準について論じた。100/140シリカファイバを注入,作動距離と高次モードにおける結合エネルギーを考慮に入れた良好な妥協であることを示した。エネルギー収支は,既知の材料のアブレーションしきい値に基づいて行った。最後に,エッチング深さの間の依存性とパルス数を研究した。飽和はエッチした材料の再堆積,高いパルスエネルギーはより深いエッチングに必要であることを示しによりおそらく観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チタン ,  結合エネルギー ,  パルスレーザ ,  パルス ,  *光ファイバ ,  エネルギー収支 ,  ケイ素 ,  選択基準 ,  *半導体 ,  アブレーション ,  ステンレス鋼 ,  *エッチング
準シソーラス用語： パルスエネルギー ,  パルス数 ,  高次モード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： マイクロマシニング ,  レーザエッチング ,  金属 ,  フォトニックジェット ,  光ファイバ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光ファイバ ,  エッチング