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J-GLOBAL ID：201702239042238142   整理番号：17A1555283

Al/Ni自己伝搬箔を用いた結合IGBTチップとDBC基板の温度場のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of the temperature field for bonding IGBT chip and DBC substrate using Al/Ni self-propagating foil

著者 (5件)： Xiang Yuyan (School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Zhou Zheng (School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Mo Liping (School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Hui Liu (School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Wu Fengshun (School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 1016-1020  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTチップの接合温度は200°Cであった。IGBTチップはリフローあるいはナノ銀焼結プロセスにおける高温と長時間加熱により損傷されるであろう。,Al/Ni自己伝搬箔はチップ上の短い影響する時間と小さな熱損傷のためのIGBTチップとDBC基板を結合するために熱源として調べた。本論文では,有限要素法を用いてはんだ付けプロセスをシミュレーションした。Al/Ni箔の熱放出過程は,移動熱源によりシミュレートした。非Fourier熱伝導法則は熱伝達を計算するために示唆された。はんだ層,境界条件およびはんだ材料の厚さの異なる結合構造を変化させることにより,IGBTチップの動作領域で最高温度ははんだ付けプロセスにおける接合温度の下で制御できた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 境界条件 ,  熱源 ,  焼結 ,  最高気温 ,  有限要素法 ,  *IGBT ,  熱伝達 ,  はんだ付 ,  *温度場 ,  はんだ ,  高温 ,  熱放射
準シソーラス用語： 銀ナノ粒子 ,  接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： ろう付  (WC07050C) ,  研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  相変化を伴う熱伝達  (PA02040V) ,  溶接技術  (WC07030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  Ni ,  自己 ,  伝搬 ,  箔 ,  IGBT ,  温度場 ,  シミュレーション