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J-GLOBAL ID：201702239091538235   整理番号：17A0369326

イオン注入による平面マイクロフルイディクスのための横方向多孔質シリコン膜の作製【Powered by NICT】

Fabrication of lateral porous silicon membranes for planar microfluidics by means of ion implantation

著者 (2件)： He Yingning (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, Toulouse, France) ,  Leiechle Thierry (LAAS-CNRS, Universite de Toulouse, CNRS, Toulouse, France)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 239  ページ： 628-634  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向多孔質シリコン膜を作成し,平面マイクロ流体デバイスの中にそれらを統合するイオン注入に基づく新しい作製法を導入した。著者等の提案手法は,陽極酸化による多孔質シリコンの形成は,ドーパントの種類と濃度,イオン注入によって操作できるに大きく依存するという事実に依存している。マイクロチャネルを埋めるシリコンステップで望みの位置で多孔質化を制限するために,ほう素及びりん注入それぞれn型シリコン基板中に埋め込まれたp++層,保護n型表面層を形成した。陽極酸化中の電流注入のためのシリコンのステップ上にパターン形成した金属電極の使用は,膜形成中の横方向に伝搬する細孔可能にする。必要なほう素とりんプロファイルをもたらす最適な注入線量とエネルギーをプロセスシミュレーションによって決定し,さらにSIMS分析により確認した。提案した作製プロセスは架橋マイクロチャネル適切に開放端細孔を有する横方向多孔質シリコン膜の生成をもたらすことを,陽極酸化時の電流密度を調整することによって細孔径(~3 30nm)と膜空隙率(~15 65%)を操作できることを実証した。作製した膜の適切なデッドエンドろ過能力を試験し,マイクロ流体応用のための提示した製造プロセスの重要性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アノード酸化 ,  細孔 ,  ホウ素 ,  電流密度 ,  *ケイ素 ,  ドーパント ,  リン ,  *多孔質シリコン ,  細孔径 ,  パターン形成 ,  マイクロチャネル ,  空隙率 ,  *多孔性 ,  *イオン注入
準シソーラス用語： マイクロ流体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 多孔質シリコン ,  イオン注入 ,  ろ過 ,  マイクロフルイディクス ,  Lab-on-a-chip

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  マイクロフルイディクス ,  横方向 ,  多孔質 ,  シリコン膜 ,  作製