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J-GLOBAL ID:201702239141882106   整理番号:17A0471596

混合ガスを用いた直流マグネトロンスパッタリングにより堆積したヘリウム充填チタン水素化物膜の合成と特性評価【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of helium-charged titanium hydride films deposited by direct current magnetron sputtering with mixed gas
著者 (6件):
資料名:
巻: 119  ページ: 180-187  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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制御可能なヘリウム含有TiH_2相膜は水素ヘリウムアルゴン混合ガスを用いたマグネトロンスパッタリングによりSi(100)物質上に作製した,チタン水素化物PdT0.6中のヘリウムの挙動を調べた。TiH_xHe膜は,弾性反跳検出(ERD)とRutherford後方散乱分光法(RBS)法が含まれているイオンビーム分析(IBA),X線回折(XRD)と走査電子顕微鏡(SEM)によって特性化した。固定ヘリウム流とスパッタリング圧力下で相対水素流量(Q_H:Q_Ar)の増加と共に,TiH_xHe膜中の水素濃度は最初に増加し,その後減少することが分かった。TiH_xHe膜中の水素濃度は全スパッタリング圧の増加により大きく増加することができるが,過剰なスパッタリング圧力は結晶化品質を劣化させるであろう。ヘリウム濃度は,主としてスパッタリング中の混合ガスの相対的ヘリウム流速に依存しているが,相対的ヘリウム流量の増加は,固定されたスパッタリング圧力で膜中の水素濃度を劇的に減少させるであろう。幸いなことに,適切な相対的水素流量とスパッタリング圧力は膜中の水素の高濃度を維持することができる。制御可能な水素とヘリウム含有量とTiH_xHe膜が達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  機械的性質 

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