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J-GLOBAL ID：201702239204329755   整理番号：17A1137090

角度分解光電子分光で明らかにした銅酸化物ノンドープ超伝導体の電子状態

著者 (11件)： 堀尾眞史 (東大 理) ,  輿石佳佑 (東大 理) ,  中田勝 (東大 理) ,  萩原健太 (東大 理) ,  小林正起 (KEK-PF) ,  堀場弘司 (KEK-PF) ,  組頭広志 (KEK-PF) ,  KROCKENBERGER Yoshiharu (NTT 基礎研) ,  入江宏 (NTT 基礎研) ,  山本秀樹 (NTT 基礎研) ,  藤森淳 (東大 理)
資料名： Photon Factory News  (Photon Factory News)
巻： 35  号： 2  ページ： 8-11  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： L0090A  ISSN： 0916-0604  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 銅酸化物高温超伝導体ではモット絶縁体である母物質にキャリアをドープすることで超伝導が発現すると長年考えられてきたが,電子ドープ型銅酸化物の薄膜ではCe置換によるキャリアドープ無しに超伝導が実現されるようになり,注目を集めている。我々は,角度分解光電子分光で測定したフェルミ面の面積からキャリア量を定量的に見積もることで,銅酸化物ノンドープ超伝導体の電子量がハーフフィリングより大きいことを示し,Ce量ではなく実際の電子ドープ量を元に電子状態を議論することの重要性を明らかにした。(著者抄録)

タイトルに関連する用語 (5件)： 角度分解光電子分光 ,  銅酸化物 ,  ドープ ,  超伝導体 ,  電子状態