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J-GLOBAL ID：201702239245433136   整理番号：17A0113585

GaN上の低抵抗率シリコン技術のための低損失MMIC実行可能な伝送媒体【Powered by NICT】

Low-Loss MMICs Viable Transmission Media for GaN-on-Low Resistivity Silicon Technology

著者 (6件)： Eblabla A. (School of EngineeringThe University of Glasgow) ,  Benakaprasad B. (School of EngineeringThe University of Glasgow) ,  Li X. (School of EngineeringThe University of Glasgow) ,  Wallis D. J. (Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge) ,  Guiney I. (Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge) ,  Elgaid K. (School of EngineeringThe University of Glasgow)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 1  ページ： 10-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではRF GaN上の低抵抗シリコン(LR Si)基板(σ<40Ω. cm)のための新しい超低損失伝送媒体を実証することに成功した。開発した遮蔽されたマイクロストリップ線は67GHzまでの周波数で0.9dBの伝送損失を持つ半絶縁性(SI)GaAs基板上のものに匹敵する性能を達成した。ライン性能はさらに遮蔽金属接地面上のベンゾシクロブテン(BCB)の5μm層上のエアブリッジ技術を用いた遮蔽されたマイクロストリップ線の付加的上昇により増強された。67GHzまでの周波数で0.6dBの伝送損失は,余分な上昇の結果として得られた。構造パラメータが最良の性能のためのEMシミュレーションに基づいて設計し,最適化した。研究は,基質に結合したRFエネルギーは除去され,ミリ波応用のためのIII-VにLR Si技術の適合性を示したことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基質 ,  伝送損失 ,  *窒化ガリウム ,  構造パラメータ ,  *伝送媒体 ,  EHF波 ,  ヒ化ガリウム ,  *電気抵抗率 ,  マイクロストリップ線路 ,  適応性 ,  *MMIC ,  最適化 ,  周波数
準シソーラス用語： 接地面 ,  半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 伝送線  (NC04030C) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  低抵抗 ,  シリコン ,  低損失 ,  MMIC ,  伝送媒体