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J-GLOBAL ID：201702239357911863   整理番号：17A1256484

垂直接合分離を用いたTLMとCTLM構造における漏れ電流への対処【Powered by NICT】

Dealing with leakage current in TLM and CTLM structures with vertical junction isolation

著者 (7件)： Bystrova Svetlana N. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Smits Sander M. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Klootwijk Johan H. (Philips Research, Eindhoven, The Netherlands) ,  Wolters Rob A. M. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Kovalgin Alexey Y. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Nanver Lis K. (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands) ,  Schmitz Jurriaan (MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝送線路法(TLM)構造は金属およびドープした半導体領域間の接触抵抗率を抽出するためにしばしば使用される。本論文では,ドープ領域は,基板から接合分離されるような状況を扱った。接合分離は漏れ誤ったパラメータ抽出に至ることがある。接合漏れ電流の効果を理論的におよび光起電力電池(太陽電池)とエピウエハ試料に典型的なウエハレベルCTLM測定結果の両者により処理した。接触抵抗値は接合分離構造上の伝送線路法を用いて得られたどの程度信頼できるか述べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  太陽電池 ,  *漏れ電流 ,  接触抵抗 ,  伝送線路 ,  ドーピング ,  光電池
準シソーラス用語： パラメータ抽出 ,  比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  TLM ,  漏れ電流 ,  対処