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J-GLOBAL ID：201702239382593115   整理番号：17A1651708

無接合トランジスタの周りのすべての楕円ゲート上に強誘電体SBT/PZTの影響を研究するための解析モデル【Powered by NICT】

Analytical model to study the impact of ferroelectric materials SBT/PZT on elliptical gate all around junctionless transistor

著者 (2件)： Mehta Hema (Dept. of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi-110021) ,  Kaur Harsupreet (Dept. of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi-110021)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： TENSYMP  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,強誘電材料の負の静電容量(NC)効果の影響を,ゲート絶縁体としてこれらの材料を組み込むことにより楕円形ゲートオールアラウンド無接合トランジスタを調べた。Landau Devonshire理論と放物型ポテンシャル近似は表面電位,ゲート容量,サブしきい値勾配などのような種々の電気パラメータを得るために解析モデルを開発した。種々のアスペクト比(AR)の影響を,主軸長および短軸長に依存して有効半径を得ることによってモデルに導入した。開発されたモデルを用いて将来のCMOS技術への統合のためのこれらの材料の実現可能性を調べるために二つの異なる強誘電材料,PZT及びSBT,デバイスで行われてきた比較分析。異なるアスペクト比に対する,デバイスは,小範囲の印加バイアスのサブ60mV/dec,低電力応用のためのこのような装置の適合性を意味のためのPZTのSBTと11mV/decに対する点サブしきい値スイング値の低い9mV/decにもつながる利得>1を示すことが観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面電位 ,  *強誘電体 ,  *解析モデル ,  *接合形トランジスタ ,  静電容量 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  ゲート絶縁膜 ,  バイアス ,  近似法 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  サブ閾値 ,  Landau-Devonshire理論 ,  ゲートオールアラウンド ,  強誘電体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 接合トランジスタ ,  楕円 ,  ゲート ,  強誘電体 ,  SBT ,  PZT ,  研究 ,  解析モデル