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J-GLOBAL ID：201702239801029163   整理番号：17A1457422

MOSFETを用いたn+pシリコンセンサのためのp-噴霧分布の決定【Powered by NICT】

Determination of the p -spray profile for n + p silicon sensors using a MOSFET

著者 (6件)： Fretwurst E. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany) ,  Garutti E. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany) ,  Klanner R. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany) ,  Kopsalis I. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany) ,  Schwandt J. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany) ,  Weberpals M. (Institute for Experimental Physics, University of Hamburg, Luruper Chaussee 147, D 22761, Hamburg, Germany)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 866  ページ： 140-149  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高抵抗p型シリコン上に作製した分割型シリコンセンサーのn+インプラントを電気的に切り離す標準技術はp+インプラントした。p+注入線量の,ドーピングプロファイルの知識はセンサの理解と最適化のための高度に関連したが,この情報はベンダーから入手可能な通常ではなく,を求める方法は高度に歓迎される。センサとして同一ウエハ上に試験構造として作製した円形MOSFETからこの情報を得るための方法を提案した。二円MOSFET,ゲート下のp+インプラント有無)をこの研究に使用した。ほう素と<100>結晶方位の約3 5×1012cm 2をドープした磁気Czochralskiシリコン上に作製した。異なる背面電圧のゲート電圧の関数としてのドレイン-ソース電流は線形MOSFET領域における50mVのドレイン-ソース電圧で測定した,しきい値電圧と移動度の値は標準MOSFET式を用いて抽出した。バルクドーピング,データから注入量とプロファイルを決定するために,二つの方法が利用され,これが適合する結果を与えた。p+インプラントを持つMOSFETのための3 5×1012cm 3と2×1015cm 3の間で変化する,ドーピングプロファイルはSi-SiO2界面からμmの画分の距離まで決定した。ドーピングプロファイルを抽出する方法を二つのMOSFETのTCADシミュレーションからのデータを用いて検証した。法と遭遇する問題の詳細を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  線形性 ,  ホウ素 ,  *MOSFET ,  界面 ,  電圧 ,  *センサ ,  結晶方位 ,  シミュレーション ,  最適化 ,  移動度 ,  ドーピング
準シソーラス用語： TCAD ,  閾値電圧 ,  ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコンピクセルセンサ ,  p-シリコン型 ,  p-スプレー ,  ドーピングプロファイル ,  MOSFET ,  TCADシミュレーション

分類 (2件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  シリコン ,  噴霧 ,  分布