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J-GLOBAL ID：201702239814090769   整理番号：17A0449187

量子ドットで構成されたインジウムドープ鉛カルコゲン化物(PbSe)-110xIn_x薄膜の合成と特性評価【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of Indium doped Lead chalcogenides(PbSe)_100-xIn_x thin films composed of QDs

著者 (4件)： Ashraf Md. Tanweer (Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India) ,  Salah Numan (Center of Nanotechnology, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Rafat M. (Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India) ,  Khana Zishan H. (Department of Applied Sciences and Humanities, Jamia Millia Islamia, New Delhi 25, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 701  ページ： 850-857  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (PbSe)100xIn_x(0 5 10及び20)の作製したままの試料は融液急冷法により合成し,それらの薄膜を熱蒸発法によりガラス基板(150K)上に堆積した。堆積したままの薄膜の構造研究をHRTEM,HRSEMおよびXRD分析を用いて実施した。これらの研究は,堆積したままの薄膜は,試料の凝集立方晶QDと多結晶構造からなることを示唆した。TEMヒストグラム分析により示唆されるようにSEM画像により示唆されるように粒子の推定粒径は最も可能性が高い大きさ(40%QDの6 8nm)のそれとほぼ一致しが分かった。格子中の誘起歪に起因して,粒子の大きさは,In含有量の増加に伴って低減が見出され,この傾向はXRDピークのHRSEM画像と半値全幅最大値により検証した。試料のQDは300nmの波長で励起され,PL発光ピークが370nmに観察された。青方偏移とピーク広がり効果はIn含有量の増加に伴って観察された。これらは量子サイズ効果の適応とドーパント濃度の増加とともに粒子の広いサイズ分布である。室温で光吸収(200 900 nm),はドーピング量の増加と共に増加することを直接バンドギャップを示唆した。これは欠陥状態の存在と高い密度局在状態の指標である。局在状態のUrbachテイルの幅はドーピング量の増加とともに狭まり傾向を示した。これは光学バンドギャップの広がりをもたらすバンドテイルの減少に起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光吸収 ,  FWHM ,  *キャラクタリゼーション ,  量子サイズ効果 ,  粒径 ,  *量子ドット ,  多結晶 ,  ドーパント ,  粒度 ,  *インジウム ,  X線回折 ,  光学ギャップ ,  青方偏移
準シソーラス用語： SEM画像 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カルコゲン化物鉛 ,  熱蒸発法 ,  薄膜 ,  青方偏移 ,  光バンドギャップ

分類 (6件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 量子ドット ,  インジウム ,  ドープ ,  鉛 ,  カルコゲン化物 ,  PbSe ,  薄膜 ,  特性評価