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J-GLOBAL ID：201702239921301971   整理番号：17A0991553

II-VI分数単一層構造におけるFoerster共鳴エネルギー移動及びハーベスティング

Foerster Resonance Energy Transter and Harvesting in II-VI Frational Monolayer Structures

著者 (6件)： SHUBINA T. V. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  SEMINA M. A. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  BELYAEV K. G. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  RODINA A. V. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  TOROPOV A. A. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  IVANOV S. V. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 7  ページ： 3922-3926  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップマトリックス中の分数単一層挿入の変換を用いた,分子線エピタキシー(MBE)により形成したII-VI量子ドット(QD)が,注目を集めている。本稿では,エピタキシーCdSe/ZnSe量子ドットの高密度アレイにおける,Foerster共鳴エネルギー移動(FRET)及びハーベスティングを提案した。ZnSeマトリックス中のCdSe挿入を含むQD構造を,MBEを用いてGaAs基板上に成長した。光ルミネセンス励起(PLE)測定を,CCDによる検出及びハロゲンランプによる励起を用いて行った。CdSe/ZnSe量子ドットアレイの励起子量子レベルのアーキテクチァのモデリングを行った。結果により,2.6eV以下の励起で,実験的に観測したPLバンドのシフトが,エネルギー移動機構変化の特徴であり,励起子量子レベルのアーキテクチァのモデリングと一致することを示した。

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  *蛍光共鳴エネルギー移動 ,  *エネルギー変換 ,  単一層 ,  *化合物半導体 ,  量子ドット ,  セレン化カドミウム ,  セレン化亜鉛 ,  光ルミネセンス ,  励起 ,  モデリング
準シソーラス用語： *Foerster共鳴エネルギー移動 ,  *II-VI化合物半導体 ,  CdSe ,  ZnSe ,  エネルギーハーベスティング

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分数 ,  単一層 ,  Foerster共鳴エネルギー移動