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J-GLOBAL ID：201702239989808217   整理番号：17A1256465

裏面アクセス集束イオンビームを用いた回路解析と修復過程により誘起されたトランジスタ損傷評価のためのアレイテスト構造【Powered by NICT】

An arrayed test structure for transistor damage assessment induced by circuit analysis and repairing processes with back-side-accessing Focused Ion Beam

著者 (7件)： Usami Naoto (Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, 113-8656 Japan) ,  Kinoshita Jun (Van Partners, Toyota Tsusho Electronics Corporation, Tokyo, 108-0075 Japan) ,  Ikeno Rimon (VLSI Design and Education Center, The University of Tokyo, 2-11-16, Yayoi, Bunkyo-ku, 113-0032, Japan) ,  Okamoto Yuki (Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, 113-8656 Japan) ,  Tanno Masaaki (Van Partners, Toyota Tsusho Electronics Corporation, Tokyo, 108-0075 Japan) ,  Asada Kunihiro (VLSI Design and Education Center, The University of Tokyo, 2-11-16, Yayoi, Bunkyo-ku, 113-0032, Japan) ,  Mita Yoshio (Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, 113-8656 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背面LSIプロセスに曝露した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の損傷を評価するためにアレイテスト構造を提案し,集束イオンビーム(FIB)など。FIBによる裏面プロセスは,現代のLSIチップを分析し,修復する,高密度配線とダミーパターンをもつ多くの金属層を通した処理を避けるために必須であるになってきている。背面からトランジスタをアクセスするために,しかし,FET活性領域は栽培しなければならない,トランジスタ特性への損傷を引き起こす可能性がある。試験構造を2DアレイMOSFETから構成されている。種々の条件に背面プロセスによる影響をI V特性変化として可視化できる。試験構造は,いくつかのFIB裏面プロセスを用いたとしきい値シフトとして損傷を可視化した。測定はmiminimize電気損傷に高速且つ等方的エッチングと遅く,非均質・均質エッチングの混合物の重要性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *トランジスタ ,  可視化 ,  酸化物 ,  *集束イオンビーム ,  配線 ,  半導体 ,  *テスト構造 ,  高速度 ,  *回路解析 ,  活性部位 ,  LSI【IC】 ,  エッチング
準シソーラス用語： 高密度 ,  *損傷評価 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： アクセス ,  集束イオンビーム ,  回路解析 ,  修復 ,  過程 ,  誘起 ,  トランジスタ ,  損傷評価 ,  アレイ ,  テスト構造