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J-GLOBAL ID：201702240121453033   整理番号：17A1090412

大量生産工場ファブにおける異なる保管条件下でのEUVレチクル表面分子汚染の研究

A study on EUV reticle surface molecular contamination under different storage conditions in a HVM foundry fab

著者 (5件)： SINGH SherJang (GLOBALFOUNDRIES US Inc., NY, USA) ,  YATZOR Brett (GLOBALFOUNDRIES US Inc., NY, USA) ,  TAYLOR Ron (GLOBALFOUNDRIES US Inc., NY, USA) ,  WOOD Obert (GLOBALFOUNDRIES US Inc., NY, USA) ,  MANGAT Pawitter (GLOBALFOUNDRIES US Inc., NY, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 101431T.1-101431T.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大量生産工場の環境中には微量のAMC(大気分子汚染物質)が存在することが知られている。有機汚染物質がレチクル表面に吸収されるとEUV光子が光解離を誘起して炭素を生成し,多層膜の反射率を低下させる。本研究では,大量生産工場の保管および取扱条件の下で,EUVLレチクル表面に吸収された分子汚染物質を調べた。様々な貯蔵ポッド(デュアルポッド,レチクルクラムシェル)における貯蔵条件(ガスパージ,大気)の影響を評価した。吸収分析はルテニウム被覆層およびTaBN吸収体の両方で行った。貯蔵によるRu表面の化学変化も調べた。吸収された汚染物質を除去するための様々なレチクル洗浄処理の有効性も評価した。

シソーラス用語： *レチクル ,  *極端紫外線 ,  半導体プロセス ,  生産工場 ,  大量生産 ,  *汚染 ,  *汚染物質 ,  光解離 ,  反射率 ,  掃気 ,  気体
準シソーラス用語： EUVマスク ,  *EUVレチクル ,  ガスパージ ,  パージガス ,  汚染除去 ,  光反射率 ,  *表面汚染 ,  表面汚染物 ,  *有機汚染物質

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 工場 ,  ファブ ,  保管条件 ,  EUV ,  レチクル ,  分子 ,  汚染 ,  研究