Imura Masataka について
National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan について
Banal Ryan G. について
National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan について
Liao Meiyong について
National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan について
Liu Jiangwei について
National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan について
Aizawa Takashi について
NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan について
Tanaka Akihiro について
NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan について
Iwai Hideo について
NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan について
Mano Takaaki について
NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan について
Koide Yasuo について
National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan について
Journal of Applied Physics について
窒化アルミニウム について
ダイヤモンド について
界面 について
電子構造 について
基板 について
チャネル について
正孔 について
キャリア密度 について
ヘテロ接合 について
FET【トランジスタ】 について
MOCVD について
切断 について
MOVPE について
エネルギーバンド について
界面電子構造 について
基板効果 について
水素終端 について
正孔密度 について
固体デバイス製造技術一般 について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
AlN について
ダイヤモンド について
界面 について
正孔 について
チャネル について
水素終端 について