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J-GLOBAL ID：201702240223371698   整理番号：17A1637973

典型的なラッチアップ免疫構造を有するSOI構造LIGBTのためのESDロバスト性の関心事【Powered by NICT】

ESD robustness concern for SOI-LIGBTs with typical latch-up immunity structures

著者 (4件)： Ye Ran (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, Jiangsu 210096, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, Jiangsu 210096, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, Jiangsu 210096, China) ,  Hou Bo (Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory, Guangzhou, Guangdong 510610, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 137  ページ： 6-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ下Pシンク井戸とP++ドーピング層を含む,二種の典型的なラッチアップ免疫構造を持つSOI基板(SOI LIGBTs)に基づく横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタのESDロバスト性を比較検討した。PシンクをもつSOI-LIGBTは強いESDロバスト性を持つ井戸と集中電流密度による集熱器側では成立しない。P++ドーピング層を持つSOI LIGBTが失敗した,P体との窒素ドリフト領域の間のPN接合での大きな表面電場によって引き起こされる。両デバイスの包括的な性能を考慮すると,Pシンク井戸をもつSOI-LIGBTは,出力装置,高ラッチアップ耐性能と強いESDロバスト性を保証する同時にとして示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒素 ,  *ロバスト性 ,  電流密度 ,  出力装置 ,  *SOI構造 ,  ドリフト ,  *ラッチアップ ,  PN接合 ,  *IGBT ,  電場
準シソーラス用語： SOI基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SOI-LIGBT ,  ESDロバスト性 ,  ラッチアップ免疫

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラッチアップ ,  免疫 ,  SOI構造 ,  ESD ,  ロバスト性 ,  関心事