文献

J-GLOBAL ID：201702240248760793   整理番号：17A0937527

効果的なn型FドープMoSe_2単分子層【Powered by NICT】

Effective n-type F-doped MoSe₂ monolayers

著者 (5件)： Zhao Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China. [e-mail]) ,  Zhang Xiaonan ,  Wang Tianxing ,  Wei Shuyi ,  Yang Lin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 43  ページ： 26673-26679  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理法,ViennaAb-initioシミュレーションパッケージ(VASP)に基づくを用いて,VとVII原子をドープしたMoSe_2単分子層の電子構造,形成エネルギーと遷移準位を研究した。数値結果はドーパント原子は磁性,Asをドープした系の場合を除いて誘導できることを示す。特に,N-及びFドープ系は磁気ナノ材料特性,P及びAsをドープした系は金属特徴を示すを示し,Cl の場合,ブランドIドープした系では,系は半金属強磁性(HMF)を示した。形成エネルギー計算は,これがMo実験条件下でn型およびp型ドープMoSe_2を達成するのにより効果的であることを示した。しかし,V族原子をドープした系では,遷移準位は原子半径の増加と共に減少するが,VII原子をドープしたものは原子半径の増加と共に増加した。結果を比較することにより,著者らは遷移準位はFドープMoSe_2単分子層におけるわずか31meV,F不純物がMoSe_2単分子層への有効なn型キャリアを提供できることを示していることを見出した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半金属 ,  ドーパント ,  原子半径 ,  ナノ材料 ,  強磁性 ,  *ドーピング ,  不純物 ,  塩素 ,  電子構造 ,  計算 ,  ヒ素 ,  *単分子層 ,  *モリブデン ,  第一原理
準シソーラス用語： 形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ドープ ,  単分子層