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J-GLOBAL ID：201702240368187310   整理番号：17A1645844

低電力応用のためのスタガードヘテロ接合ナノワイヤ(nW)トンネルFETのアナログ/高周波と直線性の改善【Powered by NICT】

Analog/radiofrequency and linearity performance of staggered heterojunction nanowire(nw) tunnel FET for low power application

著者 (3件)： Biswal Sudhansu Mohan (Silicon Institute of Technology, Bhubaneswar, Odisha) ,  Baral Biswajit (Silicon Institute of Technology, Bhubaneswar, Odisha) ,  De Debashis (MAKAUT, Kolkata, West Bengal)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 441-445  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ねじれ型ヘテロ接合ナノワイヤトンネルFETのアナログ/無線周波数と線形性性能は,同じ寸法のSi及びInAsベース北西TFETと比較した。相互コンダクタンス(gm),固有利得(gmR0),カットオフ周波数(fT),1dB圧縮点のような異なるアナログ/RadioFrequencyと直線性パラメータを研究した。Si及びInAs TFET上のヘテロ接合NW TFETから得られたアナログ/RF性能のより良い向上である。イオンとサブしきい値スイングを改善するために,アナログ/混合信号低電力応用での使用のためのSiとInAsナノワイヤトンネルFETと比較してHETJナノワイヤTFETによって得るアナログ/RadioFrequency性能パラメータのかなりの進歩を報告した。結果はSiとInAs TFETと比較してヘテロ接合TFETは優れた固有利得,高いカットオフ周波数,良い直線性能をもたらすことを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  利得 ,  ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *アナログ系 ,  *線形性 ,  相互コンダクタンス ,  *HF【周波数】 ,  ケイ素 ,  イオン ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 混合信号 ,  サブ閾値スイング ,  無線周波数 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電力 ,  応用 ,  ナノワイヤ ,  トンネルFET ,  アナログ ,  高周波 ,  直線性