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J-GLOBAL ID：201702240443930079   整理番号：17A0642083

グラフェン上のCO₂吸着 組合せTPD,XPS及びvdW-DF研究

Adsorption of CO₂ on Graphene: A Combined TPD, XPS, and vdW-DF Study

著者 (13件)： TAKEUCHI Kaori (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Susumu (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HAMAMOTO Yuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIOZAWA Yuichiro (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TASHIMA Keiichiro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KOITAYA Takanori (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MUKAI Kozo (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YOSHIMOTO Shinya (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MORIKAWA Yoshitada (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHINOBU Jun (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MATSUDA Iwao (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 5  ページ： 2807-2814  発行年： 2017年02月09日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度プログラム脱離(TPD),X線光電子分光法(XPS)及びvan der Waals密度汎関数を用いる密度汎関数理論(DFT)計算を組合せることによって30Kで明確なグラフェン面,すなわちSiC(0001)面上の単分子層エピタキシャル成長グラフェン上の二酸化炭素吸着を調べた。グラフェン上の二酸化炭素の脱離エネルギーは被覆率の関数で約20~30kJ/molと実験的に決定した。しかるに,グラフェン上の二酸化炭素吸着は物理吸着に分類され,二酸化炭素XPSスペクトルの結合エネルギーによって更に支持された。実験的に決定した脱離(吸着)エネルギーは種々のvdW-DFの計算精度の評価に対するベンチマークとして役立ち,二酸化炭素とグラフェン間の弱い相互作用を記述する最も適切なvdW-DFを決定することを可能にした。

シソーラス用語： *グラフェン ,  吸着平衡 ,  *表面反応 ,  昇温脱離 ,  X線光電子分光法 ,  単分子層 ,  エピタクシー ,  炭化ケイ素 ,  結晶面 ,  ファセット ,  脱着 ,  被覆率 ,  昇華 ,  ドライアイス ,  *物理吸着 ,  *二酸化炭素 ,  密度汎関数法 ,  状態方程式 ,  X線光電子スペクトル ,  結合エネルギー ,  ベンチマーク ,  弱い相互作用 ,  図化 ,  Arrheniusの式 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： Arrheniusプロット ,  TPD【脱着】 ,  van der Waals方程式 ,  XPS法 ,  エピタキシャル成長 ,  *二酸化炭素吸着 ,  温度プログラム脱離 ,  計算精度 ,  構造モデル ,  脱離エネルギー ,  表面吸着 ,  密度汎関数 ,  密度汎関数理論計算

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： グラフェン ,  CO2 ,  吸着 ,  組合せ ,  TPD ,  XPS ,  研究