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J-GLOBAL ID：201702240512489078   整理番号：17A0644094

GaAs(001)基板上のIn_xGa_1-xAs/In_yGa_1-yAsメタモルフィック超格子X線解析

X-ray analysis of metamorphic In_xGa_1-xAs/In_yGa_1-yAs superlattices on GaAs (001) substrates

著者 (2件)： Althowibi Fahad A. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269-4157) ,  Ayers John E. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269-4157)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 03D105-03D105-8  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)基板上にエピタキシャル成長したIn_xGa_1-xAs/In_yGa_1-yAsメタモルフィック超格子の詳細なx線動的回折分析について報告する。数多くのhkl反射プロフィール(004,115,026,117など)について,Cu kα₁放射を想定して,動的回折に対するモザイク結晶モデルを用いて,X線ロッキング曲線解析を行った。超格子ピーク幅を観測することで,非破壊的なX線ロッキング曲線測定から超格子内の貫通転位密度が見積もられることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  ヘテロエピタクシー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *X線回折 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  構造 ,  *ロッキングカーブ ,  *転位密度
準シソーラス用語： X線ロッキングカーブ ,  メタモルフィック ,  *貫通転位密度 ,  動的構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  超格子 ,  X線解析