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J-GLOBAL ID:201702240575264844   整理番号:17A0222814

原子層堆積前駆体の表面化学への基板の性質の影響

Effect of the nature of the substrate on the surface chemistry of atomic layer deposition precursors
著者 (4件):
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巻: 146  号:ページ: 052806-052806-10  発行年: 2017年02月07日 
JST資料番号: C0275A  ISSN: 0021-9606  CODEN: JCPSA6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子層堆積(ALD)応用のための有望な銅アミジナート錯体であるCu(I)-sec-ブチル-2-イミノピロリジネートの熱化学的性質を,表面感受性技術,具体的には昇温堆積とX線光電子分光法(XPS)の技術の組み合わせを用いて探った。調べた基板は遷移金属(Ni(110)とCu(110))の単結晶,酸化薄膜NiO/Ni(110)とSiO2/Ta,酸素処理した金属(O/Cu(110))を含む。ピロリジネート配位子の分解は,金属からのCH3CN,HCNおよびブテンならびに酸素含有表面からのCOおよびCO2を含むいくつかの気相生成物の脱着をもたらす。全ての場合において,有機部分の脱水素は金属上のH2の形および主に金属酸化物からの水として,表面からの水素除去を伴うが,この化学反応のためのしきい値は,激しく変化し,Ni(110)上の270KからO/Cu(110)上の430K,Cu(110)上で470K,NiO/Ni(110)上で500K,SiO2/Taで570Kまでの範囲である。Cu 2p3/2XPSおよびCu L3 VV Auger(AES)スペクトルの両方で銅還元も観察され,Ni(110)では300Kで完了し,Cu(110)では500~600Kでのみ発生する。NiO/Ni(110)では,Cu(I)とCu(0)の両方が200~500Kで共存し,SiO2/Taでは500~600Kの間で変化が起こるが,銅原子が重要なイオン特性を保つことにより,還元は限られている。より高い温度で吸着を試験するためのさらなる実験は,Ni(110)およびNiO/Ni(110)の両方で約300~450Kの間のALDに必要な自己制限的な前駆体取り込みのための温度窓の同定をもたらした。SiO2上の範囲は,より広いと予め決定されており,約500Kで上限に達した。最後に,共反応物としてのO2を用いたALDサイクルによる銅金属膜の堆積をNi(110)基板上で成功裏に達成した。(翻訳著者抄録)
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