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J-GLOBAL ID：201702240579807741   整理番号：17A1238012

III-窒化物合金半導体中の貫通転位の電子構造に及ぼす原子配列の影響:第一原理研究【Powered by NICT】

Effects of atomic arrangements on electronic structures of threading dislocations in III-nitride alloy semiconductors: A first-principles study

著者 (4件)： Akiyama Toru (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan) ,  Sakaguchi Ryohei (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan) ,  Nakamura Kohji (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan) ,  Ito Tomonori (Department of Physics Engineering, Mie University, 1577 Kurima-Machiya, Tsu 514-8507, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-窒化物半導体における貫通転位の電子構造に及ぼすIII族元素の原子配列の影響を密度汎関数理論の枠内で第一原理計算に基づいて理論的に調べた。Al0.3Ga0.7N及びIn0.2Ga0.8Nにおける刃状転位と螺旋転位のための著者らの計算は,これらの転位はエネルギーギャップ中に局在電子状態を誘起することを明らかにした。波動関数の解析は,これらの電子状態の出現は,Ga-Ga対とN原子,転位コア形態を構成するに起因することを明らかにした。さらに,これらの状態は間接遷移に対応する電子バンドをもたらすこれらの転位は無放射中心,実験結果と一致するように作用することを示唆することが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 螺旋転位 ,  *電子構造 ,  密度汎関数法 ,  *窒化物 ,  エネルギーギャップ ,  電子状態 ,  *第一原理 ,  刃状転位 ,  *貫通転位 ,  波動関数
準シソーラス用語： 間接遷移 ,  転位芯 ,  第一原理計算 ,  窒化物半導体 ,  *原子配列 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  原子構造 ,  密度汎関数理論 ,  第一原理計算 ,  InGaN ,  貫通転位

分類 (4件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化物 ,  合金半導体 ,  貫通転位 ,  電子構造 ,  原子配列 ,  第一原理 ,  研究