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J-GLOBAL ID:201702240756342416   整理番号:17A0077743

めっき層の均一性と膜/基質結合強度に及ぼす正のオームの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Volt-Ampere Characteristics in Positive-Ohm and Anti-Ohm Sections on Coating Uniformity and Film-Substrate Adhesion Strength
著者 (5件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 2458-2461  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0563A  ISSN: 1002-185X  CODEN: XJCGEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ターゲットととの間のボルタンメトリー特性を正-逆オーム遷移区間に導入し、パルス制御モードを用いて、不均一電流密度がめっき層の均一性と膜/基結合強度に与える影響規則を研究した。実験結果は,ターゲット電流密度(I_D)が0.083A/CM2から0.175A/CM2に増加するとき,ターゲット電流密度の増加が直線的に増加することを示した。対応するめっき層の厚さは差ΜMから14.011ΜMに増加した。しかし,I_Dが0.175A/CM2から0.25A/CM2に増加すると,ターゲット電流密度は直線的に減少し,対応するめっき層の厚さは差ΜMから10.077ΜMに減少した。膜厚さは減少(I_D=0.083A/CM2)から89.491%(I_D=0.25A/CM2)に減少した。また,反欧姆区/膜では,膜/基結合強度はI_Dの増大と共に急速に増大した。以上の結果を示した。逆オーム環境下では,めっき層の均一性を改善し,膜/基質結合強度を向上させることができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
溶融めっき  ,  電気めっき 

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