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J-GLOBAL ID：201702240774416286   整理番号：17A1250767

垂直GaN PINダイオードのエッジ終端に及ぼす陽子照射の影響の画像化【Powered by NICT】

Imaging the Impact of Proton Irradiation on Edge Terminations in Vertical GaN PIN Diodes

著者 (12件)： Collins K. C. (Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA) ,  King M. P. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Dickerson J. R. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Vizkelethy G. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Armstrong A. M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Fischer A. J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Allerman A. A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Kaplar R. J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Aktas O. (Quora Technology, Inc., Santa Clara, CA, USA) ,  Kizilyalli I. C. (U.S. Department of Energy, Advanced Research Project Agency-Energy, Washington, DC, USA) ,  Talin A. A. (Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA) ,  Leonard F. (Sandia National Laboratories, Livermore, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 945-948  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに基づくデバイスは,高出力エレクトロニクスのための大きな有望性,放射線耐性成分としての利用の可能性を示した。高出力ダイオードを実現するための重要なステップは,電場集中を緩和するためのエッジ終端の設計と実装,早期破壊に導くことができる。しかし,エッジ終端機能性に及ぼす放射の影響についてはほとんど知られていない。を,電子ビーム誘起電流(EBIC)を用いたオペランドイメージングに用いる高出力垂直GaN PINダイオードにおける多重場リングエッジ終端に及ぼす陽子照射の影響を実験的に調べた。プロトン照射への曝露は,エッジ終端における場拡散だけでなく陽極近傍のキャリア輸送に影響することを見出した。ホモエピタキシャル成長させたn-GaN中の正孔の拡散長さの深さ依存EBIC測定を用いて,キャリア輸送効果は陽子照射後の正孔拡散長の減少に起因することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐放射線性 ,  拡散距離 ,  HOMO ,  電場 ,  *窒化ガリウム ,  電子線誘起電流 ,  電子技術 ,  エピタクシー ,  *ダイオード ,  正孔 ,  電子ビーム ,  *陽子照射
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  高出力 ,  *画像化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 垂直 ,  GaN ,  PINダイオード ,  エッジ ,  終端 ,  陽子照射 ,  画像化