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J-GLOBAL ID：201702240776810364   整理番号：17A0617666

ハイブリッド半導体ヘテロ構造への集積化のために無視できる欠陥生成を伴う単層グラフェンの効率的窒素ドーピング

Efficient Nitrogen Doping of Single-Layer Graphene Accompanied by Negligible Defect Generation for Integration into Hybrid Semiconductor Heterostructures

著者 (12件)： SARAU George (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  SARAU George (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  HEILMANN Martin (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  BASHOUTI Muhammad (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  BASHOUTI Muhammad (Univ. the Negev, Sede Boqer, ISR) ,  LATZEL Michael (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  LATZEL Michael (Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nuernberg (FAU), Erlangen, DEU) ,  TESSAREK Christian (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  TESSAREK Christian (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  CHRISTIANSEN Silke (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  CHRISTIANSEN Silke (Max Planck Inst. for the Sci. of Light, Erlangen, DEU) ,  CHRISTIANSEN Silke (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 11  ページ： 10003-10011  発行年： 2017年03月22日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,サファイア基板上に転写したグラフェン上の有機金属気相成長(MOVPE)法によるn-GaNマイクロロッドおよびナノロッドのエピタキシャル成長の間に,約11原子%の効率的窒素ドーピングが単層グラフェンに生じることを報告した。MOVPE反応炉に純粋なグラフェン/サファイアを装填し,グラフェン上にGaNマイクロロッドおよびナノロッドを成長した。ラマン分光法,光学顕微鏡法,およびX線光電子分光法を用いて,ドーピング量,膜歪,および欠陥密度に関してグラフェン薄膜の進化を調べた。著者等は,本研究において,グラフェン格子の新しい構造欠陥の発生はごくわずかであり,化学気相成長の大面積単層グラフェンについて今まで報告されている最高のその場ドーピング量であることを明らかにした。

シソーラス用語： ハイブリッド方式 ,  *半導体 ,  *素子構造 ,  *集積 ,  *グラフェン ,  *ドーピング ,  *MOCVD ,  窒化ガリウム ,  微細構造 ,  ナノロッド ,  エピタクシー ,  Raman分光法 ,  光学顕微鏡法 ,  X線光電子分光法 ,  歪 ,  欠陥密度 ,  薄膜 ,  格子構造 ,  格子欠陥 ,  構造
準シソーラス用語： ハイブリッド化 ,  *ヘテロ構造 ,  *集積化 ,  *欠陥形成 ,  *単層グラフェン ,  *窒素ドーピング ,  *有機金属気相成長法 ,  GaN ,  マイクロロッド ,  エピタキシャル成長 ,  構造欠陥

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の格子欠陥  (BK12060M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  集積化 ,  欠陥 ,  単層グラフェン ,  窒素ドーピング