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J-GLOBAL ID：201702240928918291   整理番号：17A1346415

ReRAMクロスバーアレイの最悪読取シナリオに関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the Worst Read Scenario of a ReRAM Crossbar Array

著者 (5件)： Youn Yelim (LG electronics, Seoul, South Korea) ,  Kim Kwangmin (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Sim Jae-Yoon (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Park Hong-June (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Byungsub (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25  号： 9  ページ： 2402-2410  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ReRAMクロスバーアレイの最悪読むシナリオの誤りを証明する。以前考えられていた最悪読むシナリオは最悪のものでなければ,シナリオに基づいて評価読み出しマージンは正しくないであろう。サンプリングシナリオとより悪いものを反復探索賢明で以前考えられていた最悪のシナリオよりも悪い読み出しシナリオに対して検討した。実験では,著者らのアルゴリズムが,以前考えられていたものより悪いシナリオを見出し,以前考えられていた最悪読むシナリオの誤りを立証した。著者らの結果は,不正確な以前考えられていた最悪のシナリオによって推定されたセンシング窓は本アルゴリズムにより見付かった最悪のシナリオによる推定より14倍大きいことを示している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルゴリズム

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ReRAM ,  クロスバー ,  アレイ ,  読取 ,  シナリオ ,  研究