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J-GLOBAL ID：201702240935896908   整理番号：17A0557687

原子層堆積によってSi基板上に成長した種々のLa/Al原子比率を持つLa_xAl_yO膜のバンド整列

Band alignments of La_xAl_yO films on Si substrates grown by atomic layer deposition with different La/Al atomic ratios

著者 (6件)： WANG Xing (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  LIU Hongxia (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHAO Lu (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  FEI Chenxi (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  FENG Xingyao (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  CHEN Shupeng (Xidian Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 6  ページ： 4702-4705  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のLa及びAl前駆体パルス比の原子層堆積技術によって,La_xAl_yO薄膜をp-Si基板上に成長した。それから,作製したナノ積層体のバンド整列を光電子分光法(XPS)測定によって決定した。ある範囲内で,Al組成の増加は,La_xAl_yO膜のバンドギャップを大きくし,La_xAl_yO/Siヘテロ構造の充満帯バンドオフセットを大きくし,その結果,金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるゲート誘電体として用いられるLa_xAl_yO膜のトンネル障壁を大きくする利点を与える。

シソーラス用語： *酸化膜 ,  *バンド構造 ,  *アラインメント ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  ランタン化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  電流電圧特性 ,  前駆体 ,  積層構造 ,  バンドギャップ ,  バンドオフセット ,  ゲート【半導体】 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： 原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Si基板 ,  成長 ,  La ,  Al原子 ,  比率 ,  バンド整列