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J-GLOBAL ID：201702240981381592   整理番号：17A1635303

非対称特徴プロセスサイズ特性を有する3次元電荷トラップNANDフラッシュの性能のブースティング【Powered by NICT】

Boosting the performance of 3D charge trap NAND flash with asymmetric feature process size characteristic

著者 (4件)： Chen Shuo-Han (National Tsing Hua University, Department of Computer Science, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Yen-Ting (National Tsing Hua University, Department of Computer Science, Hsinchu, Taiwan) ,  Wei Hsin-Wen (Tamkang University, Department of Electrical and Computer Engineering, Taipei, Taiwan) ,  Shih Wei-Kuan (National Tsing Hua University, Department of Computer Science, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DAC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大容量フラッシュベース貯蔵の高まる需要は,NANDフラッシュメモリのダウンスケーリングプロセスを容易にした。NANDフラッシュ技術の中で,3D電荷トラップフラッシュが最も有望な候補の一つと考えられている。垂直チャネルの円筒形状のために,1ブロックにおける各ページのアクセス性能は独特であり,そしてこの状況は層の増殖の速い数を持つ3次元電荷トラップフラッシュにおける誇張された。本研究では,その非対称ページアクセス速度特徴を利用した3次元電荷トラップフラッシュの性能を高めるために提案されている進行性性能ブースティング戦略。3D電荷トラップフラッシュのアクセス性能を改善することに提案した方法の能力を実証するために行った一連の実験。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非対称性 ,  *三次元 ,  円筒
準シソーラス用語： 垂直チャンネル ,  大容量 ,  *ブースティング ,  *NANDフラッシュ ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非対称 ,  プロセス ,  サイズ ,  3次元 ,  電荷トラップ ,  NANDフラッシュ ,  ブースティング