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J-GLOBAL ID：201702241030054314   整理番号：17A0608488

Nb⁵⁺とIn³⁺の共ドープによるTiO₂単結晶の誘電率増強

著者 (6件)： 河原崎賢 (名大 院) ,  安藤佳子 (名大 院) ,  田辺賢士 (名大 院) ,  寺崎一郎 (名大 院) ,  谷口博基 (名大 院) ,  谷口博基 (東工大 元素戦略セ)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.19pC44-9  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  インジウム化合物 ,  ニオブ化合物 ,  *ドーピング ,  *単結晶 ,  誘電緩和 ,  *誘電率 ,  エレクトロセラミック ,  *複合欠陥 ,  浮遊融解 ,  結晶成長 ,  *二酸化チタン ,  *共ドーピング
準シソーラス用語： Maxwell-Wagner効果 ,  *巨大誘電率

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  TiO2 ,  単結晶 ,  誘電率 ,  増強