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J-GLOBAL ID：201702241114679491   整理番号：17A0965953

作業記憶のための電圧制御MRAM:展望と課題【Powered by NICT】

Voltage-controlled MRAM for working memory: Perspectives and challenges

著者 (4件)： Kang Wang (Fert Beijing Research Institute, BDBC, School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Chang Liang (Fert Beijing Research Institute, BDBC, School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhang Youguang (Fert Beijing Research Institute, BDBC, School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhao Weisheng (Fert Beijing Research Institute, BDBC, School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DATE  ページ： 542-547  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)は,将来の不揮発性作業記憶候補の広く研究されている。しかし,主流電流(スピン移動トルク,STTまたはスピンH all効果,SHE)駆動MRAM(STT-MRAMまたはSHE MRAM)は,高い書き込みパワーと長潜時の観点から本質的な問題に直面している,低電力および高速動作メモリへの応用をかなり制限している。最近開発された新世代MRAM,命名VCMA MRAM,磁気トンネル接合(MTJ)にデータ情報を書く(または記述への援助)に電圧制御磁気異方性(VCMA)効果を利用したこれらの問題を克服する効率的に有望である。書き込みパワーとスピードを改善の印象的な可能性にもかかわらず,この技術は集中的な研究と開発(R&D)が行われている,いくつかの課題はまだ解決。本論文では,クロスレイヤ(デバイス/回路・建築)設計の観点から作業記憶のVCMA MRAMの展望と課題を調べた。VCMA MRAMは面積,速度,エネルギー消費とサイクル当たり命令(IPC)性能の点でSTT-MRAMおよびSHE MRAMに優れており,低電力高速VCMA駆動データ書き込み機構から利益を得ることを示した。一方,デバイス作製と回路設計の観点から課題は実際の応用前に効率的に取り組まなければならない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： データ書込 ,  高速度 ,  電流 ,  回路設計 ,  記憶装置 ,  エネルギー消費 ,  *電圧制御 ,  磁気異方性 ,  非揮発性
準シソーラス用語： 指令 ,  クロスレイヤ ,  磁気トンネル接合 ,  低電力化 ,  スピントルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 作業記憶 ,  電圧制御 ,  MRAM ,  展望